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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-09-13 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；第一膜层结构形成于衬底上，第一膜层结构包括多个第一半导体层、介质层和第二半导体层；阻隔层位于第一膜层结构的顶面上；沟道孔穿过阻隔层、第二半导体层和介质层，以露出第一半导体层，沟道孔与第一半导体层一一对应；第二膜层结构包括沟道层、栅极介质层和栅极层，沟道层和栅极介质层随形设置于沟道孔内，并延伸至阻隔层的顶面上，栅极层覆盖于栅极介质层上，并填充沟道孔。该结构通过在第一膜层结构和第二膜层结构之间设置阻隔层，以增加栅极和

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116744676 A (43)申请公布日 2023.09.12 (21)申请号 202310625287.6 (22)申请日 2023.05.29 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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