基于金属纳米碳管接触的负微分和场效应纳米器件的第一性原理研究的中期报告.docxVIP

基于金属纳米碳管接触的负微分和场效应纳米器件的第一性原理研究的中期报告 本研究旨在通过第一性原理计算，探究基于金属纳米碳管接触的负微分和场效应纳米器件的电学特性。在前期工作中，我们成功地构建了金属纳米碳管接触的计算模型，并通过密度泛函理论计算了其电学性质。 在本次研究中，我们重点关注纳米器件的场效应特性。我们选择了Pt-CNTs系统作为模型，分别从零偏压和不同偏压下研究了其电流-电压（I-V）和传输特性。我们发现，在零偏压下，器件的传输特性呈现出较强的负微分效应，而在偏压作用下，器件的传输特性则呈现出场效应特性，随着偏压的增加，电流逐渐减小，表现为p型半导体的性质。 进一步的分析表明，场效应的机制主要来自于Pt-CNTs界面处的电荷转移和调控。通过计算Pt-CNTs体系的电子密度等相关参数，我们发现在零偏压下Pt-CNTs界面处存在高度局域的缺陷态，因此充分地提高了器件的负微分效应。而在偏压作用下，随着电荷的逐渐转移，Pt-CNTs界面处的缺陷态数量减小，从而引起反常的场效应特性。 综上所述，在本次中期研究中，我们成功地分析了基于金属纳米碳管接触的负微分和场效应纳米器件的电学特性，揭示了Pt-CNTs系统传输特性的形成机制和调控方法。本研究对进一步发展高性能纳米器件具有重要意义。