集成电路的构造及DRAM的构造.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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一种集成电路的构造包括一结构,所述结构包括其上具有绝缘材料的导电材料。所述导电材料及所述绝缘材料在垂直横截面中分别具有相对侧。第一绝缘材料在所述垂直横截面中在所述导电材料的所述相对侧的横向外部。第二绝缘材料在所述垂直横截面中在所述第一绝缘材料的横向外部。所述第二绝缘材料的成分与所述第一绝缘材料的成分不同。所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的下部分。所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中未横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的上部分。第三绝缘材料在所述垂直横截面中在所述第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111183519 A (43)申请公布日 2020.05.19 (21)申请号 20188

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