利用紫外可见分光光度计测材料的光学带隙.docxVIP

HYPERLINK/shtml3088014//shtml3088014/说明：因为以前有很多人问这方面的问题，所以特意收集了些资料。 注：用紫外-可见分光光度计测材料的光学带隙，这个材料一般是指非晶态半导体材料。对晶态半导体材料好像不适用。 关键词：分光光度计禁带宽度光学带隙Eg理论 §8-1-2吸收迫和光学带隙 1.吸收边 在本征吸收过程中，光子能量必须满足下列条件(6,5)码为禁带宽度.这就是说,对应着本征吸收，在低频方面必然存在一个吸收边界㈣，这个边界称为本征吸收边,也仙长波限.显然，可以通过本征吸收边的测量和分析得到禁带宽度虬. 为了区别用电导率法测得的禁带宽度，用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙。 紫外可见分光光度法的定量分析基础是朗伯-比尔(Lambert-Bgr)定律」即物质在一定浓度的吸光度与它的吸收介质的厚度成正比,表达式如下： A—she(1) 其中吸光度(光密度、消光值),E-摩尔吸光系数(其物理意义为：当吸光物质浓度为lmol/Lr吸收池厚度为Iciib以一定波长原光通过时，所引起的吸光值A),8-吸收介旎豹厚度(厘米)，臼顾光物质的浓度(加时/L)口 另外，吸光度A与透射率「之间的关系为： TOC\o1-5\h\zA抵丁二电半(2) 当光进入介质时，透射光的强度随薄膜厚度的变化呈指数形式(入射光强度的变化主要是由薄膜的吸收而造成的，其它效应可以忽略).即： /=L⑶ 其中/为透射光的强度，匕为入射光强度，々为吸收系数，d是薄膜拘厚埋,定 义透射率t=￥则有： a=-号⑷ 对于半导体，其光学带隙在吸收边和吸收系数之间的关系式是； =」?(￡-q尸(5)其中」王二竺=为一常数，￡为入射光子，的能量，弓为半导体的光学带隙。ndrme对(5)式两边同时取对数，得到： ln0E)=In4+忻ln(E-E)(6)作ln(aE)oc]n(E-乌)关系曲陵可得活的值匚 当暗二;时，对应于直接带隙半导体允许的偶极跃迁； 2〉当/二三时，对应于直接带隙半导体禁戒的偶极既迁； 3〉当捌=2时，对应于间接带隙半导体允许的跃迁； 4当用二3时，对应于间接带隙半导体禁戒的跃迁口宙吸收光谱，作［aE］；m-hu图.得到税性吸收讪。将经性吸收边的线性关系延伸到与能 最釉相交，即aE=。处.可以得到光学带隙￡厚』对于m=2的情况: ot(g)柘 ot(g)柘=8(松一8皿) (11) B是与材料性质有关的常数，一般在10J0%m之闻.(6.11)氏与许冬林符合得很好,如。-A§0,aAs◎咏a-As*Te3 ?Ge.oSi等，(a^y^与太3的关系曲线基本上是一条直线. 把这个直线外推到柚轴上，其截距就是光学带数E*如图6.5布，此对F某…材料，关系曲线的,形状和截距的大小随制备方法和工艺条件的不同而不同. v〉用土s儿种外晶出中导体材料皿券与松的关系心二.测光学带隙的作图方法以m=2为例，皿与光学带隙的关系为a=尸(2)式中」为常故;上为光子能量：虬为光学带踱，关系曲线以侏潢坐标.言上)-’作纵坐心作图’燃后将㈱线的莪性部分延长至零,在横坐标上的截钳即为 v〉 用土s儿种外晶出中导体材料皿券与松的关系心 Fig,5R^latioDshipbetween(crAu)12and知ofq-C*Hfilmdepositedunderdifferentworkpremu?图5不同工作气压下制备的□＜十HJT膜血^血沪关系的线 三.用积分球测量粉末状TiO2的带隙 所荻得的7T02的光谱示于图6. HO：StMjilt图丁。2的紫外/可见吸收光诺 所心己录的光谱数据显示在410.57nm有最建型的截止，此姓吸收值最小：百分反射率模式数据也同样可以看到b 计算 禁带能(E)二g* h=普朗克常数=6.626x1034J-s 光速=3.0x10^01/5 二截止波长=410.57X［护m H cX E eV 6.S3E- 有0E+ 4.1LE- 4.84156E- 3.0259 34 08 07 19 76 leV=1.6x1俨］