n-GaN上Au_Zr和Au_Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究.pdfVIP

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2023-09-16 发布于福建
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n-GaN上Au_Zr和Au_Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究.pdf

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２０２２，Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．２１　ｗｗｗ．ｍａｔｅｒ⁃ｒｅｐ．ｃｏｍｎ⁃ＧａＮ上Ａｕ／Ｚｒ和Ａｕ／Ｔｉ金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究１１，２，３，４张可欣，李庚伟，杨少延，魏　洁１　中国地质大学（北京）数理学院，北京１０００８３２　中国科学院大学材料与光电研究中心，北京１０００４９３　中国科学院半导体研究所，半导体材料科学重点实验室，北京１０００８３４　南京佑天金属科技有限公司，南京２１１１６４电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障，直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择，寻求比接触电阻率最低的方案。而本工作突破桎梏，从欧姆接触的形成机制出发讨论金属欧姆接触的可行性，研究了低温（６５０ ℃）退火６０ｓ和高温（８５０ ℃）退火３０ｓ条件下，Ａｕ（３００ｎｍ）／Ｚｒ（３０ｎｍ）／ｎ⁃ＧａＮ和Ａｕ（３００ｎｍ）／Ｔｉ（３０ｎｍ）／ｎ⁃ＧａＮ结构的接触机理。采用紫外光刻法定义圆点型传输线模型，并且利用磁控溅射设备在ＧａＮ上制备金属电极样品，分析了电极样品的互扩散行为及界面反应情况。研究结果表明：与Ａｕ／Ｔｉ／ｎ⁃ＧａＮ相比，Ａｕ／Ｚｒ／ｎ⁃ＧａＮ样品受温度影响小，界面固相反应生成的Ｚｒ⁃Ｎ化合物热稳定性更优异，可以帮助器件在高温高压下更加稳定地工作；Ｚｒ与氮化镓接触时产生的Ｇａ合金相更少，有利于器件利用隧道机制传输载流子；Ａｕ／Ｚｒ／ｎ⁃ＧａＮ样品具有更小的界面孔隙，与氮化镓的界面反应适中；Ａｕ／Ｚｒ／ｎ⁃ＧａＮ样品具有更平整的表面，适合大功率高电流工作。此外，根据本工作的对比研究可以得出：金属的制备与提纯、阻挡层金属的添加、制作金属电极的方法、势垒层金属的稳定性、金属与氮化镓的界面反应程度以及电极的表面粗糙度都会影响器件性能。Ｚｒ替代Ｔｉ作为ｎ型ＧａＮ欧姆接触电极可以实现器件更高的性能要求，是一种具有广阔应用前景的金属材料，对于ＧａＮ器件的研发和改善有很大帮助。关键词　　ｎ型ＧａＮ　Ａｕ／Ｚｒ欧姆接触电极　互扩散行为　界面反应＋中图分类号：Ｏ４７２．４　　文献标识码：ＡＣｏｍｐａｒｉｓｏｎＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅＩｎｔｅｒｆａｃｉａｌＲｅａｃｔｉｏｎａｎｄＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＩｎｔｅｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＡｕ／ＺｒａｎｄＡｕ／ＴｉＭｅｔａｌＥｌｅｃｔｒｏｄｅｓｏｎｎ⁃ＧａＮ１１，２，３，４ＺＨＡＮＧＫｅｘｉｎ，ＬＩＧｅｎｇｗｅｉ，ＹＡＮＧＳｈａｏｙａｎ，ＷＥＩＪｉｅ１　ＳｃｈｏｏｌｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，ＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＧｅｏｓｃｉｅｎｃｅ（Ｂｅｉｊｉｎｇ），Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８３，Ｃｈｉｎａ２　ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，ＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００４９，Ｃｈｉｎａ３　ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８３，Ｃｈｉｎａ４　ＮａｎｊｉｎｇＹｏｕｔｉａｎＭｅｔａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＣｏ．，Ｌｔｄ．，Ｎａｎｊｉｎｇ２１１１６４，Ｃｈｉｎａｌｅｃｔｒｏｄｅｃｏｎｔａｃｔｉｓａｖｅｒｙｉｍｐｏｒｔａｎｔｉｓｓｕｅｉｎｍａｋｉｎｇｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓ．ＴｈｅｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｇｅｎｅｒａｔｅｄｂｙｍｅｔａｌｅｌｅｃｔｒｏｄｅａｎｄＥｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｉｓｔｈｅｇｕａｒａｎｔｅｅｏｆ