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集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET.pdfVIP

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  • 2023-09-17 发布于四川
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集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET.pdf

    本实用新型公开一种集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET，其以两层多晶硅、更低成本的方法制程实现，在本实用新型形成MOSFET屏蔽栅的多晶硅，和形成MOSFET的ESD保护二极管的多晶硅，是同一层多晶硅(第一层多晶硅)，而形成MOSFET的栅极的多晶硅，是第二层多晶硅；整个制造流程中只需要两层多晶硅方法，即可实现集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET之器件结构，比传统方法减少了一层多晶硅，实现方法更简单，降低了制造复杂度和方法成本，现对于现有技术具有重大进步。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210443554 U (45)授权公告日 2020.05.01 (21)申请号 20192

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