一种硅差压传感器.pdfVIP

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  • 2023-09-19 发布于四川
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本实用新型公开了一种硅差压传感器,其特征在于,包括相邻的高压侧基座、低压侧基座,高压侧基座或低压侧基座上设有陶瓷部件、压力敏感芯片,高压侧基座与压力敏感芯片、高压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充高压侧充灌液的高压腔路径,低压侧基座与压力敏感芯片、低压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充低压侧充灌液的低压腔路径;高压侧隔离膜片、高压侧基座、过载保护膜片、低压侧基座、低压侧隔离膜片、导油管部件、芯片管座及环部件之间的全焊接结构,该全焊接结构与高低压侧充灌液的共同作用,使硅差压传感器具

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210464778 U (45)授权公告日 2020.05.05 (21)申请号 20192

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