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钯掺杂纳米碳二氧化硅硅异质结太阳能电池的制备及其光伏特性的研究的中期报告 本研究旨在制备钯掺杂纳米碳二氧化硅硅异质结太阳能电池，并研究其光伏特性。目前已完成实验的中期工作如下： 1. 硅基衬底的制备：使用标准的磨砂硅片作为衬底，并通过化学清洗和蒸发干燥等步骤处理表面。 2. 沉积硅二氧化物薄膜：使用PECVD技术，在硅基衬底表面沉积大约40nm的氧化硅薄膜，作为Si/C-SiO?异质结的基底层。 3. 制备碳纳米管阵列：采用化学气相在硅基衬底上制备1μm~5μm宽的碳纳米管阵列。对碳纳米管阵列进行了热处理，并通过SEM观察其形貌。 4. 碳纳米管的氧化：将碳纳米管阵列置于氧化反应炉中，在600℃下进行氧化处理，形成碳纳米管氧化物。 5. 沉积钯(Pd)：采用磁控溅射法在碳纳米管氧化物表面沉积100nm钯薄膜，形成钯掺杂纳米碳二氧化硅硅异质结。 目前已经完成以上实验步骤，并对样品进行了光电性能测试，结果表明，钯掺杂纳米碳二氧化硅硅异质结太阳能电池的光伏特性表现良好。 下一步的工作计划是进一步研究该电池的光电转换效率，优化其光伏性能，并比较不同制备条件下的电池性能。