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* 2 Chap.6 化学气相淀积（CVD） 1 2 3 4 5 CVD的基本概念、特点及应用 CVD的基本模型及控制因素 CVD系统的构成和分类 CVD SiO 的特性和方法 CVD多晶硅和氮化硅的方法 天津工业大学 集成电路工艺原理 化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）： ——把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂 的蒸气，以合理的流速引入反应室，并以某种方式激活 后在衬底表面发生化学反应并在淀积成膜的一种方法。 CVD的基本概念 天津工业大学 集成电路工艺原理 CVD氧化膜与热生长氧化膜 天津工业大学 集成电路工艺原理 CVD的工艺特点 v CVD成膜温度远低于衬底的熔点或软点，减轻了对衬底 的热形变，减少了沾污，抑制了缺陷的生成，减轻了 杂质的再分布，适合于制造浅结分离器件及VLSI电路， 而且设备简单，重复性好； v 薄膜的成分精确可控，配比范围大； v 淀积速率一般高于PVD，厚度范围广，由几百埃到数毫 米，且能大量生产； v 淀积薄膜结构完整，致密，与衬底粘附性好，且台阶 覆盖性能较好； v 薄膜纯度较差，一般用于制备介质膜。 天津工业大学 集成电路工艺原理 CVD薄膜的应用 v 浅槽隔离（STI，USG） v 侧墙掩蔽（Sidewall, USG） v 前金属化介质层（PMD，PSG、BPSG） v 金属间介质层（IMD，USG、FSG） v 钝化保护层（PD，Oxide/Nitride） v 抗反射涂层（ARC，SiON） 天津工业大学 集成电路工艺原理 天津工业大学 集成电路工艺原理 浅槽隔离（STI） 天津工业大学 集成电路工艺原理 侧墙掩蔽 天津工业大学 集成电路工艺原理 §6.1 CVD模型 天津工业大学 集成电路工艺原理 天津工业大学 集成电路工艺原理 CVD的基本过程 v 反应剂在主气流中的输送； v 反应剂从主气流中扩散通过边界层到达衬底表面； v 反应剂在表面被吸附； v 吸附的反应剂在表面发生反应，淀积成膜； v 反应的副产物和未反应剂离开衬底表面，排除。 天津工业大学 集成电路工艺原理 能用于CVD的化学反应必须满足的条件 v 淀积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸气压； v 除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的； v 淀积物本身必须具有足够低的蒸气压； v 化学反应速率必须足够快以缩短淀积时间； v 淀积温度必须足够低以避免对先前工艺产生影响； v 化学反应应该发生在被加热的衬底表面，如果在气相发生 化学反应，将导致过早核化，降低薄膜的附着性和密度， 增加缺陷。 天津工业大学 集成电路工艺原理 边界层理论 v 黏滞性流动：当气压较高时（平均自由程远小于反应室尺寸）， 气体与固体间的摩擦力使紧贴固体表面的气流速度降为零，如果沿 气流方向没有速度梯度，而沿垂直气流方向的流速为抛物线型变化， 则称为泊松流。 v 边界层（附面层、滞流层）概念：当气体流过硅片表面时， 存在着一个速度受到扰动并按抛物线型变化，同时还存在反应剂浓 度梯度的薄层被称为边界层，也称为附面层、滞流层。 天津工业大学 集成电路工艺原理 v 边界层厚度： v 雷诺数： Re= ρUL / μ 雷诺数表示流体运动中惯性效应与 粘滞效应的比值，Re较低时，气流为 平流型，Re较大时，气流为湍流型 天津工业大学 集成电路工艺原理 Grove模型 v F1=hg(Cg-Cs) v F2=ksCs v Cs=Cg/(1+ks/hg) v Ks hg时，表面反应控制： G= (Cg ks ) /N1 hg Ks时，质量输运控制： G= (Cg hg ) /N1 天津工业大学 集成电路工艺原理 v 决定ks的主要因素：温度 ks＝k0exp(-EA/kT) v 决定hg的主要因素：气体流速，气体成分，系统压力 hg=Dg/δs； 所以为了保证统一的淀积速率，就必须： v 对于表面反应控制，保持处处恒定的温度 v 对于质量输运控制，保持处处恒定的反应剂浓度 天津工业大学 集成电路工艺原理 淀积速率与温度的关系 天津工业大学 集成电路工艺原理 §6.2 化学气相淀积系统 CVD系统通常包括： v 气态源或液态源 v 气体输入管道 v 气体流量控制 v 反应室 v 基座加热及控制系统（其他激活方式） v 温度控制及测量系统 v 减压系统（可选） 天津工业大学 集成电路工艺原理 CVD的气体源 v 气态源（SiH4） 许多气体有毒、易燃、腐 蚀性强。 v 液态源（TEOS，Tetra- Ethyl-Oxy-Silane） 液体气压低，危险性小， 运输方便，淀积的薄膜特性好。 v 冒泡法（温度） v 加热液态源 v 液态源直接注入法 天津工业大学 集成电路工艺