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一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述制造方法包括：交替沉积牺牲层和绝缘层得到堆叠结构；在堆叠结构中形成间隔分布的多个通孔，在通孔内形成虚设字线；每间隔两个通孔形成贯穿堆叠结构的第一沟槽，任意相邻两个第一沟槽之间分布有交替堆叠的多个绝缘层层和多个牺牲层；在第一沟槽内回刻绝缘层形成多个凹槽，每一个绝缘层两个第一沟槽内的两个凹槽分别露出虚设字线的部分侧壁；在每一层绝缘层对应的两个凹槽内形成导电层，每个凹槽内的导电层环绕两个露出的虚设字线；将环绕虚设字线的导电层断开，形成晶体管
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116782644 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311065772.9
(22)申请日 2023.08.23
(71)申请人 北京超弦存储器研究院
地址 10
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