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本发明公开了一种用于5G芯片用带孔电子功能元件蚀刻工艺，所述蚀刻工艺如下：步骤一：在等离子体不存在的条件下使四氯化硅气体以及氮气蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件接触；步骤二：在进行电子功能元件顶部通孔的蚀刻时，在蚀刻设备的同一个处理腔中进行连续四氯化硅气体和氮气蚀刻制程和灰化制程；本发明的有益效果是：使用四氯化硅气体以及氮气作为蚀刻气体，从而可在获得更高的蚀刻速度的同时，使得所形成的通孔具有更好的条纹控制和均匀性；实现了抗蚀剂的快速制备，通过抗蚀剂能够抑制电子功能元件中本来不应
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779434 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310742821.1
(22)申请日 2023.06.21
(71)申请人 深圳市盛鸿运科技有限公司
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