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本发明提供一种半导体封装及其制造方法，制造所述半导体封装的所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779592 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310856539.6 H01L 21/768 (2006.01)
(22)申请日 2017.01
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