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本发明公开基于IPD技术的新型低插损双工器。本发明主要由电路层、环绕在电路层周围的接地环、介质层构成。电路层包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感。通过新颖的拓扑结构，实现低插损、高隔离度双工器，其中通过添加LC串联谐振器和LC并联谐振器在带外产生零点的方式来提高双工器的选择性，增强双工器的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116780139 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310940706.5
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 杭州泛利科技有限公司
地址 31
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