逆导型横向绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、芯片.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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逆导型横向绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、芯片.pdf

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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种逆导型横向绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、芯片，通过设置第一多晶硅层和第二多晶硅层尽可能减小LIGBT沟槽多晶硅的面积，达到减小米勒电容、降低开关损耗的目的，并且利用第二多晶硅层形成独立的沟道二极管达到续流的目的，改善器件的反向恢复特性，利用电子阻挡层、水平多晶硅场板、介质氧化层以及发射极金属层形成的独特结构达到排斥电子的目的，使得从N型源极区流出的电子在第一多晶硅层施加正偏电压的情况下只能从P型集电区向N型缓冲层和N型漂移层注入的空穴复合，避免了半导体器件

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116779647 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310949271.0 (22)申请日 2023.07.28 (71)申请人深圳芯能半导体技术有限公司地址