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平面型相变存储器的制备及性能研究的中期报告 一、研究背景 随着电子技术的快速发展，存储器作为电子设备中的重要组成部分，得到了广泛的应用。与传统的硅基存储器相比，相变存储器具有体积小、读写速度快、功耗低等优点，因此备受关注。而平面型相变存储器作为一种新型相变存储器，具有制备简单、集成度高等优点，也备受研究者青睐。 二、研究目的 本研究旨在制备平面型相变存储器，并研究其性能；探讨材料参数对相变存储器性能的影响，为其进一步的应用提供理论依据。 三、实验方法 1. 制备相变材料 采用磁控溅射的方法，在SiO2衬底上沉积Ge2Sb2Te5相变材料。工艺条件为Ar气压为5×10-3Torr，溅射功率为100W，沉积速率为0.1nm/s。 2. 制备平面型相变存储器 将制备好的相变材料通过光刻、蒸发等工艺步骤制备成平面型相变存储器。其中相变材料的尺寸为100×100um2，厚度为100nm。 3. 对相变存储器进行性能测试 通过电学测试系统对相变存储器进行性能测试，测试项包括电阻-电压(R-V)曲线、电流-时间(I-t)曲线等。 四、实验结果及分析 实验结果表明，制备的平面型相变存储器具有较好的稳定性和可重复性，通过调节相变材料的制备参数，可以得到不同的相变特性。当相变材料的厚度为100nm时，其R-V曲线呈现出明显的电压触发效应，在电阻值从高到低的转变过程中，存在明显的电流峰值。 五、结论 通过本研究，制备成功了平面型相变存储器，并研究了其基本性能。实验结果表明，该存储器具有较好的稳定性和可重复性，通过调节相变材料参数，可以得到不同的相变特性。研究结果为相变存储器的进一步应用提供了理论依据。