传感器与智能检测技术 课件 4.4.12 光敏传感器-光电效应光电元件.ppt

§4.4 光敏传感器 4.4.2 典型光敏元件及特性 三、光电池 复习：光生伏特效应 光电池是利用光生伏特效应把光能直接转变成电能的器件。由于光电池可把太阳能直接变成电能，因此又称为太阳能电池。 光电池是发电式有源元件。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。 命名方式：把光电池的半导体材料的名称冠于光电池(或太阳能电池)之前。如，硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池等。目前,应用最广、最有发展前途的是硅光电池。 §4.4 光敏传感器 三、光电池 硅光电池:价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接收红外光。 硒光电池:光电转换效率低(0.02％)、寿命短，适于接收可见光(响应峰值波长0.56μm)，最适宜制造照度计。 砷化镓光电池:理论转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性则与太阳光谱最吻合。且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此，它在宇宙飞船、卫星、太空探测器等电源方面的应用是有发展前途的。 (一)光电池的结构原理——制造工艺常用的硅光电池的结构如图所示。 工艺：在电阻率约为0.1 Ω·cm～1 Ω·cm的N型硅片上，扩散硼形成P型层；然后，分别用电极引线把P型和N型层引出，形成正、负电极。如果在两电极间接上负载电阻R L，则受光照后就会有电流流过。为了提高效率，防止表面反射光，在器件的受光面上要进行氧化，以形成SiO2保护膜。 图8-44 硅光电池的构造图 §4.4 光敏传感器 三、光电池 (一)光电池的结构原理 硅光电池器件的价格与原材料消耗量密切相关。把光电池做成圆形(或六角形),?利用率最高，为了满足电源电压、容量的要求，必须把单个光电池串、并联起来组成电池组使用。 §4.4 光敏传感器 三、光电池 §4.4 光敏传感器 三、光电池 （一）光电池的结构原理 SiO2 + 光 P N － RL (a) 光电池的结构图 (b) 光电池的工作原理示意图 I 光 P N 当光子能量 hf Eg 时，即 λ≤λ0=1239/Eg nm 产生光电流，外电路断路时产生光生电动势。 光子能量足够大，即 §4.4 光敏传感器 三、光电池 （一）光电池的结构原理 光电池的表示符号、基本电路及等效电路如图所示。 RL I U Id U I IΦ (a) (b) (c) 光电池符号和基本工作电路 §4.4 光敏传感器 三、光电池 （二）基本特性 1.光照特性 L/klx ? L/klx ? 5 4 3 2 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 2 4 6 8 10 开路电压 Uoc /V 0.1 0.2 0.3 0.4 ? 0.5 0.3 0.1 0 1 2 3 4 5 Uoc/V Isc /mA Isc/mA (a) 硅光电池 (b)硒光电池 开路电压 短路电流 短路电流 0.5 开路电压曲线：光生电动势与照度之间的特性曲线，当照度为2000lx时趋向饱和。 短路电流曲线：光电流与照度之间的特性曲线. 说明：外接负载相对于光电池内阻而言是很小的。光电池在不同照度下，其内阻也不同，因而应选取适当的外接负载近似地满足“短路”条件。 光电池的短路电流Isc与照度L成线性关系，而且受光面积越大，短路电流也越大。 当光电池作为测量元件时应取短路电流的形式。应用：照度计 §4.4 光敏传感器 三、光电池 （二）基本特性 1.光照特性 L/klx ? L/klx ? 5 4 3 2 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 2 4 6 8 10 开路电压 Uoc /V 0.1 0.2 0.3 0.4 ? 0.5 0.3 0.1 0 1 2 3 4 5 Uoc/V Isc /mA Isc/mA (a) 硅光电池 (b)硒光电池 开路电压 短路电流 短路电流 0.5 I U I U 0 2 4 6 8 10 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 I/mA L/klx 50Ω 100Ω 1000Ω 5000Ω RL=0 下图表示硒光电池在不同负载电阻时的光照特性。从图中可以看出，负载电阻RL越小，光电流与光照强度的线性关系越好，且线性范围越宽。 §4.4 光敏传感器 三、光电池 （二）基本特性 1.光照特性 §4.4 光敏传感器 三、光电池 （二）基本特性 2.光谱特性 光电池的光谱特性决定于材料。从曲线可看出： 硒光电池：在可见光谱范围内有较高的灵敏度，峰值波长在540nm附近，适宜测可见