pld法制备单晶si100zno薄膜及其发光性质研究.docxVIP

pld法制备单晶si100zno薄膜及其发光性质研究 1 薄膜的制备方法 zno是第三代半发射器的核心材料。由于其非常优越的光学性能和光刻合理设备的巨大应用价值，被称为“21世纪半身像”。ZnO是一种具有六方纤锌矿型晶体结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料, 室温下的禁带宽度为3.37 eV, 激子结合能为60 meV。 高达60 meV的激子结合能再加上量子限制效应, 具备了室温下激子发射的必要条件, 与ZnSe、ZnS和GaN相比, ZnO更适合于在室温下或更高温度下实现高功率的激光发射, 因此引起众多研究者的兴趣。而ZnO的紫外发射是源于激子复合, 完整的晶体结构有利于加强紫外发射, 因此薄膜的制备成为关键的一环, 众多的制备方法各有优缺点。我们采用的是PLD法。 PLD法的优点是:操作简单, 可以蒸镀能够吸收激光的高熔点物质;反应过程迅速;可实现一步合成, 组分不会变化, 反应温度相对较低;通过正确选择衬底和实验参数, 可以比较容易地控制膜的生长取向、形貌和微观结构;合成时允许有相对较高的氧气含量, 是合成氧化物的一种有效的方法。用这种方法可以得到致密、附着力强的高质量光学薄膜。 2 pld和陶瓷基片制备 本实验采用PLD法来制备ZnO薄膜, 沉积所用靶材为北京化学试剂研究所生产的质量分数为99.99%的ZnO粉末, 在16T 微型压力机上压制30 min成20 mm×5 mm