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本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，提高形成于基板上的膜的基板面内膜质均匀性。半导体装置的制造方法具有通过进行预定次数的循环而在基板上形成膜的工序，循环是非同时地进行(a)从第一供给部对处理室内的基板供给原料气体的工序和(b)从第二供给部对处理室内的基板供给反应气体的工序，在(a)中，在第一供给部内以及处理室内使原料气体分解而生成中间体，将该中间体供给至基板，并且此时，成为使第一供给部内的原料气体的分解量比处理室内的原料气体的分解量大的状态。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110931386 A
(43)申请公布日
2020.03.27
(21)申请号 20191
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