一种实验用MOSFET管和BJT管级联电压放大电路.pdfVIP

一种实验用MOSFET管和BJT管级联电压放大电路.pdf

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本发明的实验用MOSFET管和BJT管级联电压放大电路,包括MOSFET管Q1、BJT管Q2、偏置电位器RW1和RW2、第一和第二电源正、电源地和电源正;MOSFET管Q1的漏极经负载电阻R4接于第一电源正上,源极依次经电阻R5和电阻R6接于电源地上,栅极依次经电容E2和电阻R1接于输入信号端in上;BJT管Q2的集电极经负载电阻R10接于第二电源正上,发射极依次经交直流负反馈电阻R11、直流反馈电阻R12接于电源地上,基极经电阻R9接于偏置电位器RW2的可变电阻端。本发明的电压放大电路,调节R

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111162765 A (43)申请公布日 2020.05.15 (21)申请号 20201

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