半导体制造技术-第十四章.pptVIP

半导体制造技术 陈弈星 dreamtower@163.com 对准和曝光 对准是把所需图形在晶园表面上定位或对准。而曝光是通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上。如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心，那么对准和曝光则是该工艺的“设备”核心。图形的准确对准是保证器件和电路正常工作的决定性因素之一。 对准和曝光包括两个系统：一个是要把图形在晶园表面上准确定位（不同的对准机类型的对准系统各不相同）；另一个是曝光系统（包括一个曝光光源和一个将辐射光线导向到晶园表面上的机械装置）。 用于硅片制造的光刻在很大程度上以光学光刻为基础。 曝光光源 汞灯（使用于常规I线步进光刻机上） 准分子激光灯（248nm及以下深紫外波长提供较大光强） 曝光光源的一个重要方面是光的强度，光强定义为单位面积的功率，并且在光刻胶的表面测量。光强的另一种解释是单位面积的光亮或亮度。 能量是功率和时间的乘积。光强乘上曝光时间就表示了光刻胶表面获得的曝光能量，或曝光的剂量。 高压汞灯作为紫外光源用于所有常规I线步进光刻机。为使光刻胶与UV波长相适应，可使用一套滤波器阻挡不需要的波长和红外波长。 曝光控制 剂量均匀的紫外光对光刻胶的曝光是非常重要的。对于硅片上任何一次曝光剂量都必须是可重复的。 曝光控制通过剂量监控器在硅片表面测量紫外光强获得。