《材料科学基础》第4章晶体缺陷.pdfVIP

4.3面缺陷(Surface 4.1点缺陷(Point defect) 4.1.1点缺陷的类型 defects) 4.1.2点缺陷的浓度 4.3.1晶体表面 4.1.3点缺陷对材料性能的影响 4.3.2晶界结构与能量 4.2线缺陷(Line defects) 4.2.1位错的类型 4.3.3单相多晶体中的 4.2.2柏氏矢量 晶粒形貌 4.2.3位错的运动 4.3.4晶界偏析与晶界 4.2.4位错的应力场 迁移 4.2.5位错与晶体缺陷间的交互作用 4.2.6位错的增殖与塞积 4.3.5相界 4.2.7实际晶体中的位错 晶体缺陷crystal defect 晶体缺陷的产生原因： 文原子(离子、分子)的热运动； 业晶体的形成条件； 文冷热加工过程； 文辐射、杂质等。 √实际晶体- 由于原子的热运动并存在能量起伏， 排列不完整 √晶体中一些微小区域原子排列的周期性受到破坏 晶体缺陷对晶体性能的影响 1.晶体缺陷与扩散、相变、塑性变形、再结晶、 氧化、烧结等(工艺过程)有着密切关系。 2.对强度/塑性/韧性等力学性能， 电磁热\光等结构敏感的物理性能，有很大的影响。 在材料中的重要地位： 的决定性因素。 17:16 3 being. 17:16 4 按照缺陷区尺寸相对晶体的大小， 晶体缺陷分为三类： 点缺陷 线缺陷 面缺陷 line defectPlanar defect Point defect 体缺陷：三维尺寸较大， 如--空洞，气泡，沉淀相等。 (1)空间三维方向上的尺寸都很小， 点缺陷 约为几个原子间距，又称零维缺陷。 Point 间隙原子 defect (2)包括： 空位：vacancy 间隙原子：interstitial atom 异类原子 空位 置换原子：Displaced atom 晶体中的点缺陷类型 “尺寸很小”?:一般与原子间距同一数量级。 (1)某一方向上尺寸与晶体或晶粒的线度相当， 而在其它方向上的尺寸可以忽略。 Dislocation line 位错的高分辨图像 17:16 8 17:16