氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究的中期报告.docxVIP

氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究的中期报告 中期报告 研究背景： 多晶硅薄膜具有广泛的应用前景，如太阳能电池、柔性电子和液晶显示器等领域。然而，多晶硅薄膜的制备过程中常常存在一些问题。在传统的固相晶化方法中，需要高温处理，不仅会增加生产成本，而且如果处理时间过长，还会导致多晶硅薄膜中晶粒生长过大。为了解决这些问题，目前有一些新的制备方法被提出。 研究内容： 本研究中，我们采用氢等离子体辅助固相晶化的方法来制备多晶硅薄膜。在氢等离子体的作用下，多晶硅薄膜可以在较低的温度下实现固相晶化过程。同时，氢等离子体能够促进多晶硅晶粒的生长，并且可以控制多晶硅薄膜中晶粒的大小和形状。 研究方法： 在实验中，我们首先通过化学气相沉积法（CVD）制备了一些非晶硅薄膜。然后，将这些非晶硅薄膜置于氢等离子体反应器中，在约350℃的温度下进行氢等离子体辅助固相晶化处理。通过不同的处理时间和氢气流量控制来研究多晶硅晶粒的生长和晶粒大小的控制。 研究结果： 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜等测试手段，我们发现，在氢等离子体的作用下，多晶硅晶粒的生长速度明显加快。在处理时间和氢气流量的控制下，晶粒的大小和形状可以被控制到一定的范围内。同时，相比于传统的固相晶化方法，我们所采用的氢等离子体辅助固相晶化方法具有更低的处理温度和更短的处理时间，从而可以大幅降低制备成本。 研究结论： 氢等离子体辅助固相晶化的方法在多晶硅薄膜制备领域具有广泛的应用前景。我们的研究结果证明，通过控制处理条件，可以控制多晶硅晶粒的大小和形状，从而提高多晶硅薄膜的性能。同时，这个方法还具有更低的处理温度和更短的处理时间，有望成为一种低成本、高效的多晶硅薄膜制备方法。