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新结构GaN基HEMT材料及器件研究的中期报告 本报告是新结构GaN基HEMT材料及器件研究的中期报告。该研究旨在开发新的结构和工艺，用于提高GaN基HEMT器件的性能。 在前期的研究中，我们成功地制备了新结构的GaN基HEMT材料，并进行了性能测试。我们发现，相比传统的GaN基HEMT材料，新结构的材料在低电场下具有更低的漏电流和更高的击穿电压。此外，新结构的材料也具有更好的退火稳定性和可靠性，适用于高功率和高温应用。 在器件方面，我们利用新的结构和工艺设计和制造了GaN基HEMT器件，进行了电性能测试。我们发现，新结构的器件在低漏电流和高击穿电压的同时，还具有更高的最大开关电流和更高的增益。这些性能使得新结构的器件在高功率射频应用中具有潜在的优势。 未来的研究将集中在进一步优化新结构的材料和器件。我们计划使用更具挑战性的工艺，如表面离子束刻蚀和湿化学腐蚀，以进一步改善材料和器件的性能。我们还将研究新的封装方案，以确保器件在高温和振动环境下的可靠性和稳定性。 总的来说，我们相信新结构的GaN基HEMT材料和器件具有良好的潜力和应用前景。我们将继续深入研究，并积极推进该领域的发展。