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基于InPInGaAs HBT技术的单片集成光接收OEIC的中期报告 这份中期报告涉及到基于InPInGaAs HBT技术的单片集成光接收OEIC（光电一体化电路）的进展情况。InPInGaAs HBT是一种高性能半导体器件，具有高度的集成度和低噪声功率。因此，该技术非常适合用于光通信中的光接收器设计。 报告首先介绍了InPInGaAs HBT器件的材料结构、制作工艺和电子特性。通过采用优化的工艺参数，研究团队成功地制备了具有高度可重复性和一致性的InPInGaAs HBT器件。 接下来，报告详细介绍了单片集成光接收OEIC的设计和制作过程。该OEIC包括光电探测器、前置放大器和信号处理电路三个部分，分别通过InGaAs PIN光电探测器、InPInGaAs HBT前置放大器和InP双极晶体管信号处理电路实现。通过对电路参数的优化设计和调整，实现了在780nm波长下的高灵敏度和低误码率的光接收性能。 最后，报告总结了已经取得的研究成果以及下一步的工作计划。研究人员将继续进行光接收OEIC的性能优化，并计划在实际的光通信系统中进行测试。此外，他们还将研究更高性能的全集成化OEIC设计方案，以满足未来光通信系统对高速、高可靠性的要求。