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半导体in薄膜材料的电学性质研究进展 0 in的电化学特性 近年来，gan、aln、印度和其合金在电子和微件中的应用前景引起了人们的极大兴趣。因为它的广泛应用前景广阔。InN被认为是低损耗高效电池、光学掩膜及多种传感器的优选材料。InN、GaN和AlN的合金带隙对应于可见-近紫外光波段,因而使制造InGaAlN基的半导体短波激光二极管成为可能。最近的研究表明,InN在太赫兹(THz)辐射中有很好的应用前景[5~7],在热光伏系统中则可作为等离子体滤波器材料等。理论计算表明,相对于GaAs、AlN和GaN,InN具有优越的稳态和瞬态电子输运特性,其迁移率、峰值速率、饱和漂移速率和尖峰(overshoot)速率较高,其中低场迁移率可以达到3200 cm2/V·s,峰值漂移速率可达4.3×107cm/s,且这些电子输运特性不受温度改变的影响,可以预计InN场效应晶体管(FET)的截止频率可高于400 GHz,这些特性使InN在高频厘米和毫米波器件应用上具有独特的优势。此外,它还可以用作GaN/AlGaN基的场效应晶体管中的沟道,以提高载流子在沟道中的迁移率及降低其通过沟道的渡越时间(transit time)。但到目前为止,InN在实验上却没有得到如此优越的电学特性。这是因为InN材料在生长上存在一定的困难,其体材料难以制备,而薄膜的生长又面临缺乏晶格常数和热膨胀系数都匹配的衬底材料,