单晶硅制备装置及方法.pdfVIP

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2023-09-27 发布于四川
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单晶硅制备装置及方法.pdf

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本申请提供一种单晶硅制备装置，装置包括：坩埚，用于盛放熔体以制备晶体；加热单元，用于加热坩埚，以提供制备晶体所需温度；装置还包括：图像传感单元，用于跟踪获取晶体的直径变化；控制单元，根据晶体的直径变化以及放肩时间，调节加热单元的功率，以使晶体的直径达到设定直径。本申请还提供一种单晶硅制备方法。本申请提供的单晶硅制备装置及方法将晶体直径变化以及放肩时间相结合，结合模拟计算从而对放肩过程的整体加热功率进行调节，在不同热场下具有更好的适用性。同时，在规模化生产中，使用同一套参数可以修正设备之间的差异保

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115537914 A (43)申请公布日 2022.12.30 (21)申请号 202211322995.4 (22)申请日 2022.10.27 (66)本国优先权数据