应用于无线充电系统的SiC_MOSFET关断特性分析.pdfVIP

第45 卷 第15 期 2021 年8 月10 日 Vol.45No.15 Aug.10,2021 DOI：10.7500/AEPS20201118005 应用于无线充电系统的SiCMOSFET关断特性分析 1，2 1，2，3 1，3 1，3 1，2 1，2 薄 强 ，王丽芳 ，张玉旺 ，陶成轩 ，刘志孟 ，蒙金雪 （1. 中国科学院电工研究所，北京市 100190；2. 中国科学院大学，北京市 100049； 3. 电力电子与电气驱动重点实验室（中国科学院），北京市 100190） 摘要：SiCMOSFET的关断特性是无线充电系统传输效率和电应力研究的主要内容之一，对系统 的安全、高效运行具有重要意义。首先，针对无线充电系统中考虑高次谐波的关断瞬态电流进行建 模，并基于数据手册建立SiCMOSFET的关断能量损耗模型；其次，通过计算和仿真验证关断瞬态 电流求解的正确性，探讨了关断瞬态电流、关断能量损耗与直流母线电压和输出功率的关系；最后， 搭建1kWLCC-S补偿的基于SiCMOSFET的无线充电系统进行实验验证，结果证明在全输出功 率范围内，应用于无线充电系统的SiCMOSFET具有恒关断电流和恒关断损耗的特性。 关键词：SiCMOSFET；零电压开关；无线充电；关断瞬态电流；关断能量损耗；补偿网络 0 引言 线圈恒流、适用多负载供电、电压增益与负载无关等 优点，可以方便地控制负载功率［11-13］。 无线充电技术实现了电源与负载之间的电气隔 ［1-4］ 一般而言 ，应用于无线充电系统的 SiC 离，并解决了裸露导线造成的用电安全等问题 。 MOSFET是软开通、硬关断的，而硬关断将影响系 目前该技术在电动汽车无线充电、植入式医疗、水下 统的传输效率和关断电应力，因此需要对系统的关 ［5-8］ 供电等领域得到广泛的研究 。SiCMOSFET相 断特性进行研究。目前，已有文献对无线充电系统 比Si器件具有更高的开关速度、更低的导通损耗和 的关断特性进行研究，文献［14-15］在求解LCC补 更高的结温等优势，这对减小开关损耗、提高开关频 偿拓扑关断电流的基础上，通过对补偿电容的优化 率和缩短死区时间非常有利，采用SiCMOSFET的 使得关断电流满足软开关条件，虽然该文没有对关 无线充电系统可取得更高的效率、更高的功率密度 断电流的特性做进一步的探讨，但其建模方法可以 ［9-10］ 和更优的整机性能 。 为关断电流的求解提供借鉴。文献［13］在LCC-S 无线充电系统在发射侧和接受侧设置补偿网 补偿的基波模型基础上对电路进行简化，然后考虑 络，并采用谐振的方式提高系统的输出功率和传输 谐波的影响分阶段建立逆变器输出电流的简化时域 ［3］ 效率。目前，广泛使用的基本补偿网络有4种 ：SS 模型，其