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多量子阱红外控制器的MBE外延生长及研究的中期报告
本研究旨在利用多量子阱（MQW）技术研究红外控制器的外延生长及相关性质。本次报告为中期报告，主要介绍了外延生长的情况及初步研究结果。
首先，我们采用分子束外延（MBE）技术生长MQW结构。在生长过程中，通过调节生长温度、功率、流量等参数，可以获得不同厚度和周期的MQW结构。通过扫描电镜（SEM）观察，可以看到生长出的MQW结构表面平整，无明显缺陷。同时，通过X射线衍射（XRD）测量，可以得到MQW结构的晶体质量较好，呈现出单峰的衍射峰。
接着，我们对生长出的MQW结构进行了光电特性测试。通过光吸收谱（ABS）和光致发光谱（PL）的测试，可以得到MQW结构的带隙和发光峰位置。我们发现，在不同厚度和周期的MQW结构中，带隙和发光峰位置均有较大差异，其中周期为20nm，厚度为10nm的MQW结构表现出最佳的光电特性，其发光峰位置约为4μm，适用于红外控制器。
最后，我们将这些优良的MQW结构应用于红外控制器的研究中。初步测试结果表明，结合优化的MQW结构，红外控制器的响应速度、响应时间及噪声等性能指标均有明显提升，具有良好的应用前景。
综上，本次研究成功利用MBE技术生长了优良的MQW结构，并通过光电特性测试及红外控制器的应用验证了其优异性能，为红外控制器的发展提供了新的思路和方向。
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