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学会看MOSFET数据手册 MOS管数据手册上的相关参数有很多 ，以MOS管VBZM7N60为例 ，下面一起来看一 看 ，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。 极限参数也叫绝对最大额定参数 ，MOS管在使用过程当中 ，任何情况下都不能超过下 图的这些极限参数 ，否则MOS管有可能损坏。 VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID表示漏极可承受的持续电流值 ，如果流过的电流超过该值 ，会引起击穿的风险。 IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度 ，如果超过该值 ，会引起击穿的风 险。 EAS表示单脉冲雪崩击穿能量 ，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未 超过击穿电压 ，则器件不会发生雪崩击穿 ，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。 EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。 PD表示最大耗散功率 ，是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率 ，使用时 要注意MOS的实际功耗应小于此参数并留有一定余量 ，此参数一般会随结温的上升而 有所减额。 （此参数靠不住 ） TJ, Tstg ，这两个参数标定