0.18μmCMOS技术中功率LDMOS器件的电流特性研究的中期报告.docxVIP

0.18μmCMOS技术中功率LDMOS器件的电流特性研究的中期报告 目前，我们正在进行0.18μm CMOS技术中功率LDMOS器件的电流特性研究，并取得了一些进展。本中期报告将介绍我们的研究进展情况。 首先，我们设计了一个具有较高电流分辨率的测试电路，用于测量LDMOS器件的漏电流和击穿电压。该测试电路可以精确地测量小于1nA的漏电流，以及小于1V的击穿电压。我们使用该测试电路对一些LDMOS器件进行了测试，并得到了漏电流和击穿电压的值。 接下来，我们对测试结果进行了分析，发现漏电流与器件尺寸、掺杂类型和浓度、栅极电压等因素密切相关。不同尺寸的器件漏电流差异较大，大器件漏电流明显高于小器件。掺杂类型和浓度的不同也会影响漏电流，P型的器件漏电流明显高于N型的器件。栅极电压越高，漏电流也越高。击穿电压与器件尺寸和栅极电压也有关系，大器件和高栅极电压下的击穿电压较高。 此外，我们还进行了模拟分析，并提出了一些优化设计方案以改善器件电流特性。我们将继续进行实验研究和模拟分析，以深入探究LDMOS器件的电流特性，为其高可靠性、高性能的应用提供技术支撑。