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本发明涉及一种利用ALD技术生长CaO薄膜的方法，属于纳米材料技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将湿化学处理后的衬底置于原子层沉积设备反应腔中，通入脒基类钙前驱体在衬底表面进行化学吸附；S2、待S1中化学吸附饱和后，向反应腔中通入惰性气体进行吹扫，再通入氧前驱体反应；S3、待S2反应结束后，向反应腔中通入惰性气体进行吹扫，完成单个生长循环；S4、重复上述生长循环，在衬底表面生长得到CaO薄膜。其中脒基配体与金属原子呈现出不稳定的四元环结构，因此脒基类钙前驱体的反应活性更高。它可以在温
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116815162 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310844905.6
(22)申请日 2023.07.11
(71)申请人 苏州源展材料科技有限公司
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