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公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜，然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶，其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的开口，该工艺将围绕SiN膜的开口的外围区域暴露于可以蚀刻半导体层的氯(Cl)等离子体以在其中形成凹槽。将用于欧姆电极的金属填充在半导体层中的凹槽内和SiN膜的外围区域。最后，在低于SiN膜的沉积温度的温度下对金属进行合金化。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109671775 A
(43)申请公布日
2019.04.23
(21)申请号 20181
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