石墨烯电子迁移率的测定.docVIP

ICS? FORMTEXT 03.080.99 FORMTEXT A 20 FORMTEXT ????? 广东省特种设备行业协会团体标准 GDASEXXX－FORMTEXT2019 FORMTEXT ????? 石墨烯电子迁移率的测定 Determination of electronic mobility of graphene FORMTEXT ????? （工作组讨论稿） FORMTEXT ????? FORMTEXT2019 - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX发布 FORMTEXT2019 - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX实施 FORMTEXT广东省特种设备行业协会???发布 GDASEXXX－20XX PAGE 7 石墨烯电子迁移率的测定 范围 本标准规定了石墨烯薄膜霍尔系数、电子浓度、电子迁移率、电阻率的测定方法。 本标准适用于石墨烯薄膜，其它二维导电薄膜的霍尔系数、电子浓度、电子迁移率、电阻率测定可参照执行。 规范性引用文件 下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准。 GB/T 8170-2008 数值修约规则与极限数值的表示和判定 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 电阻率 resistivity 材料内平行于电流方向的电势梯度与电流密度之比，又称体电阻率，单位为(Ω·m)，常用单位为(Ω·cm)。 霍尔电场 hall electric field 在石墨烯薄膜上同时加上互相垂直的电场和磁场时，试样中的电子在与外加电场和磁场都垂直的方向上偏转而建立的电场。 霍尔系数 hall coefficient 霍尔电场对电流密度和磁通密度之积的比，单位为（cm3/C）。 电子浓度 electron concentration 单位体积电子的数量，单位为（cm-3）。 电子迁移率 electron mobility 霍尔系数的绝对值与电阻率之比，单位为（cm2/V·s）。 欧姆接触 ohmic contact 金属与石墨烯薄膜形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。 原理 霍尔系数 当霍尔效应处于稳恒状态时，石墨烯薄膜中的电子在磁场作用下的洛伦兹力和在霍尔电场下的电场力达到平衡，霍尔系数与霍尔电压、样品厚度、电流强度以及磁感应强度的关系如下： ( SEQ 标准自动公式 \* ARABIC 1) 式中： RH——霍尔系数，cm3/C； VH——霍尔电压，V； d——样品厚度，cm； Is——电流强度，A； B——磁感应强度，T。 电子浓度 石墨烯薄膜的电子浓度与霍尔系数、样品厚度以及电子电量之间的关系为： ( SEQ 标准自动公式 \* ARABIC 2) 式中： n——电子浓度，cm-3； RH——霍尔系数，cm3/C； e——电子电量，C。 电阻率 石墨烯薄膜电阻率ρ采用范德堡法进行测量，当样品为正方形时，电阻率ρ与样品厚度、两电极通电流时另外两电极间测得的电阻值存在如下关系： (3) 式中： ρ——电阻率，Ω·cm； d——样品厚度，cm； R——两电极通电流，测另外两电极间电压后计算所得的电阻值，Ω。 电子迁移率 石墨烯薄膜的电子迁移率μH与霍尔系数之间存在如下关系： (4) 式中： μH——电子迁移率，cm2·V-1·s-1； RH——霍尔系数，cm3/C； ρ——电阻率，Ω·cm。 试验设备与仪器 游标卡尺 最小刻度0.01 mm 真空干燥箱 控制温度为室温~200℃，真空度＜133 Pa。 霍尔效应测定仪 霍尔效应测定仪应能满足以下条件： 能够提供不低于1 T的磁场，磁场不均匀性≤±1%； 配备变温系统：低温区可以至80 K，高温区不低于700 K，温控精度优于0.1 K； 电子浓度测试范围：107 cm-3~1020 cm-3；电子迁移率测试范围：1 cm2·V-1·s-1~2×109 cm2·V-1·s-1；电阻率测试范围：10-6 Ω·cm~107 Ω·cm； 设备软件具有欧姆接触测试功能，可自动测定霍尔系数、电子浓度、电阻率、电子迁移率等参数。 实验步骤 样品预处理 石墨烯生产单位提供石墨烯薄膜厚度，或者使用原子力显微镜等仪器测定石墨烯薄膜的厚度。 无衬底薄膜样品需转移至具有SiO2绝缘层的正方形硅片上，有衬底的薄膜样品需加工成正方形。正方形的边长为10 mm±0.5 mm。 将四根漆包铜丝分别去掉两端包漆，用作测试引线，将其一端用导电银浆对称粘附在样品的四个角或边。 将处理后的样品在真空干燥箱中110℃±2℃下干燥3