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SBT类钙钛矿结构铁电陶瓷制备与Cu单晶衬底上薄膜沉积探索的中期报告
本次中期报告主要涉及两部分内容,一是针对SBT类钙钛矿结构铁电陶瓷的制备工艺进行了探索和研究,试图寻求最佳的制备方式和优化参数;二是针对Cu单晶衬底上薄膜沉积的问题,进行了一系列实验和分析,并对问题进行了解决。
在钙钛矿结构铁电陶瓷制备方面,我们进行了多组实验,探索不同材料、不同工艺、不同条件下的制备方式和效果。经过实验比较和分析,我们得出了一些初步结论和调整方案。首先,我们尝试了不同材料化学计量比的制备,结果发现,在一定范围内,化学计量比对样品的铁电性能和晶体结构没有显著影响,但是过高或者过低的化学计量比会使得样品质量变差。因此,对于不同的材料,我们需要对其特性和相应的化学计量比进行综合分析和制备优化。其次,我们也进行了多组不同工艺和条件下的制备,如火焰喷雾烧结、热压制备、溶胶-凝胶法等,经过对比实验和分析,我们发现,在一定条件下,不同工艺制备的样品表现出类似的铁电性能和晶体结构,但是制备效率以及成本存在较大差异,需要根据不同的需求和情况进行合理选择。
在Cu单晶衬底上薄膜沉积方面,我们首先探讨了薄膜附着力的问题。在实验中,为了控制薄膜厚度和结晶质量,使用了脉冲激光沉积法沉积薄膜。通过不同的前处理和参数调整,我们实现了薄膜在Cu单晶衬底上的沉积,并考察了附着力情况。结果显示,经过充分的清洗和前处理,以及合理的沉积参数,相应的薄膜具有较好的附着力和结晶质量,能够在衬底上持续稳定生长。
综上所述,本次中期报告涉及了SBT类钙钛矿结构铁电陶瓷制备和Cu单晶衬底上薄膜沉积方面的实验和研究,并得出了一些初步结论和可行性建议,为后续的研究和应用提供了一定的参考和支持。
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