半导体知识点.docx

第 0 章 半导体概述 电阻率 ρ 介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温度系数→半导体第 1 章 半导体中的电子状态 共价键: 由同种晶体组成的元素半导体,其原子间无负电性差,它们通过共用一对自旋相反而配对的价电子结合在一起。 共价键的特点：1、饱和性 2、方向性 共有化运动：电子由一个原子转移到相邻的原子去,因而,电子将可以在整个晶体中运动。孤立原子中的电子状态： 主量子数 n:1,2,3,…… 角量子数 l：0，1，2，…（n－1） 磁量子数 ml：0，±1，±2，…±l 自旋量子数 ms：±1/2 波函数：描述微观粒子的状态 [ ?h8 ? [ ? h 8 ? 2 2 m d dr 2 ? V ( r )] ? ( r ) ? E ? ( r ) 2 布里渊区的特征： 每隔 1/a 的 k 表示的是同一 个电子态； 波矢 k 只能取一系列分立的值，每个 k 占有的线度为 1/L； 本征激发：当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 物质的能带可分为价带、禁带和导带三部分，导带和价带之间的空隙称为能隙。由于能带结构不同，在导电特性上就有了导体、绝缘体、半导体。 导体:通常指电阻率 10 ?4 ? ? cm 的物质。金属和合金一般都是导体，如铝、金、钨、铜、镍铬等。能带能隙很小或为 0 , 在室温下电子很容易获得能量而跃迁至导带而导电。 绝缘体:通常电阻率 10 9 ? ? cm 物质。如 SiO2、 SiON、Si N 3 4 9 V，电子很难跳跃至导带，所以无法导电。 等。能带能隙很大，可达到 半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间，能隙一般约为 1－ 3 V，只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距就能导电。如硅为 1.12eV，锗为 0.67eV，砷化镓为 1.43eV， 所以它们都是半导体。 则 E ?k 则 E ?k ? ? E ?0 ? ? h 2 k 2 m n 2 ? ?3 ? * n 空穴：将价带电子的导电作用等效为带正电荷的准粒子的导电作用。禁带宽度 Eg 随温度增加而减小。 多能谷结构：锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近。 间接带隙半导体：硅和锗的导带底和价带顶在 k 空间处于不同的 k 值。 第 2 章 半导体中的杂质和缺陷能级根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 浅能级杂质 →能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev； 深能级杂质 →能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev。 施主杂质：束缚在杂质能级上的电子被激发到导带 Ec 成为导带电子，该杂质电离后成为正电中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。 施主电离能： ?E ? E - E D C D 受主杂质：束缚在杂质能级上的空穴被激发到价带 Ev 成为价带空穴，该杂质电离后成为负电中心（负离子）。这种杂质称为受主杂质。 受主电离能：△EA=EA-EV 掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为 N 型半导体。称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 杂质的补偿作用:杂质的补偿,既掺有施主又掺有受主：补偿半导体 (1) N ? N 时 n 型半导体 (2) N ? N 时 p 型半导体 (3) N ? N 时杂质的高度补偿 D A A D A D 深能级杂质特点： 多为替位式杂质 ?硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 ?深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。 束缚激子：即等电子陷阱俘获一种符号的载流子后，又因带电中心的库仑作用又俘获另一种带电符号的载流子，这就是束缚激子。 两性杂质：在化合物半导体中，某种杂在其中既可以作施主又可以作受主，这种杂质称为两性杂质。 缺陷能级:1、点缺陷 2、位错能级（主要指线缺陷） 点缺陷：空位 自间隙原子 反结构缺陷 各种复合体 位错 第 4 章 半导体的导电性 外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用，沿着电场的反方向作定向运动形成电流。即漂移运动. 载流子散射：载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射。 平均漂移速度的大小与电场强度成正比，其比值称为电子迁移率。 迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。它是表示半导体电迁移能力的重要参数。 迁移率：反映载流子在电场作用下运动的难易程度 fE?? ? ? f E ? ? n ? 1 E ? E n F ?? 1 ? e k 0 T ? ?? f E ? ? ? ? p 1 E p ? E  非平衡态到平 ?? 1 ? e 时间。 F k 0 T 衡态的弛豫