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- 2023-10-01 发布于四川
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本实用新型公开了一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路,属于集成电路、电路抗辐射加固技术领域。该电路包括上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络,其中,上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络共用输入端,上拉网络的电源端口和衬底的电压由源衬电压设置网路提供,下拉网路的接地端口和衬底的电压同样由源衬电压设置网络提供,上拉网络和下拉网络相连形成输出端口。本实用新型不仅能够完成普通CMOS集成电路的逻辑功能,还具备高性能的抗单粒子效应的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210578492 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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