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一.选择填空
1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C而少数载流子的浓度,
则与 A有很大关系。
A.温度 掺杂工艺B. 杂质浓度C. 晶体缺陷D.
2.P型半导体中空穴是 A,带 C电;自由电子是 B,带 D电。
A.多数载流子 少数载流子B. 正 C. 负 D.
3.N型半导体 C,P型半导体 C 。
A.带正电 带负电B. 呈中性C.
4.当PN结外加正向电压作用下,内电场 B;扩散电流 C漂移电流。
A.增强 削弱 B. 大于 C. 小于 D.
5.当PN结外加正向电压时,扩散电流 A漂移电流,耗尽层 E。
A.大于 小于 B. 等于 C. 变宽 D.
E.变窄 不变 F.
6.用万用表直流电压档,测得电路中晶体管各电极相对
于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三
极管工作在 C状态。
A.倒置 截止 B. 饱和 C. 放大 D.
7.温度升高后,半导体三极管的电流放大系数β 将 A,穿透电流I A。
A.变大 变小 B. 不变 C. CEO
8.三极管的穿透电流I 是集—基反 向饱和电流I 的 C倍,在选用管子时,
CEO CBO
一般希望 I 尽量 D。
A.1/β CEO β B. (1+βC.) 小 D. 大 E.
9.右图所示电路中,稳压管D和D的稳定 电压分别为
Z1 Z2
6V和7V,正向压降均为 0.7V,且具有理想的稳压特性,
则输 出电压U为 D。
0
A.6V B.7V C.13V D.1V
10.设硅稳压管D和D的稳定 电压分别为 5V和8V,正向
Z1 Z2
压降均为 0.7V,则右图电路的输出电压U为 C。
0
A.5V B.8V C.13V D.3V
11.某三极管P =100mW ,I =20mA,U =15V,能正常工作的是 A。
CM CM (BR)CEO
A. U =3V,I =10mA UB.=2V,I =40mA
CE C CE C
C. U =6V,I =20mA U =20V,I =4mAD.
CE C CE C
1
12.三极管工作在饱和区时,b-e极间为 A 极间为,b-c A;工作在
放大区时,b-e极间为 A 极间为,b-cB;工作在截止区时,b-e极间
为 B 极间为,b-cB。
A.正向偏置 反向偏置B. 零偏置C.
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