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- 2023-10-08 发布于广西
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第五章 存储器; 5.1 存储器概述;1.半导体存储器的分类;随机存储器RAM:
A) 双极型半导体RAM,双极型是以晶体管触发器作为基本存储电路,TTL电路;高速,功耗大、集成度低,成本高;
B) MOS型RAM(Metal Oxide Semiconductor)低速,功耗低、成本低、集成度高;
(1).静态随机存储器SRAM是以双稳态触发器作为存储元;
(2).动态随机存储器DRAM是用电容存储信息,需要刷新;
只读存储器ROM
1.掩膜式ROM
2.可编程式PROM
3.可擦除可编程式EPROM
4.电可擦除可编程式E2PROM、EAROM、NOVROM
2704、2708、2716、2732、2764、27128、27256、27512、271024
;2.存储器件的性能指标;(2)存取速度
存取速度通常用存取时间来衡量。存取时间又称为访问时间或读/写时间,是指CPU从启动一次存储器操作(读或写)到完成该操作所需要的时间。
连续两次独立的存储器读/写操作所需的最小时间间隔称为存储周期。
(3)可靠性
可靠性是指在规定的时间内,存储器无故障读/写的概率。通常用平均无故障时间MTBF(mean time between failures)来衡量可靠性。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔,越长说
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