集成电路封装知识简介.pptVIP

检查主要内容： 废品 Tie Bar 弯折 Bent Tie Bar 引线框架弯折受损 Bent Frame 引脚短路 Lead Short 引脚损伤(内引脚或外引脚) Bent lead 引线断裂 Broken Wire 漏丝 Missing Wire 有受损的引线 Damaged Wire 重叠连接的错误 Re-bonding Defect 丝尾 Wire Tail 线交叉 Wire Cross 金线线环高度 Loop Height 引线下塌 Sagging Wire 金球或焊接短路 Ball bond short to metallization or ball bond short 引线短路 Wire Short 焊接尺寸 Bond size too big or too small 打线后检查(PBI) 工艺流程（前道工艺） Mold的定义: 用热硬化性树脂(Compound)将D/B,W/B结束后的半成品封装成型的过程。 Mold工艺的目的 电子连接与隔离 I/O位置标准化 便于热量散发 保护元件 协助测试 工艺流程（后道Mold） Mold使用的材料: 直接材料： 已焊好芯片和金线的半成品 (图 1) 塑封料 Compound (图 2) (图 1) (图 2) 间接材料： 清模胶，脱模胶，脱模剂 工艺流程（后道Mold） Mold 设备 工艺流程（后道Mold） 推片 L/F进料 抓片 (In pick up) Feeder Shifter Stage Loading Un-loading Carrier (Degating) 抓片 (pick up) 放片 出料 封装成型 Molding Mold 的工艺流程 工艺流程（后道Mold） Mold 的重要参数：(参照OI文件） 温度 Temperature: 175±5oC 塑封时间 Cure Time 55~120S 合模压力 Package Pressure 40~60T 注塑时间 Transfer Time 5~15S 注塑压力 Transfer Pressure 1~2T 预热时间 Preheat Time 2~8S 工艺流程（后道Mold） 注塑封装过程： 1. Put product into buttom chase Buttom chase product Compound Plunger 2. Put compound into plunger pot 3. Closed molding Injecting Top chase Mold gate 4. Open mold Take product out Bottom chase 工艺流程（后道Mold） Mold后集成块外型图 框架 Lead frame 料饼Mold Cull 塑封本体Package 工艺流程（后道Mold） 工艺流程（后道PMC） Post Mold Cure的定义及作用: 后固化是将产品放置于高温烘箱内进行烘烤，使塑封料固化更彻底并与芯片及框架结合更紧密，以提高产品的可靠性和稳定性 工艺流程（后道Marking） Marking的定义及作用: Marking就是在在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等 。其主要的目的是为了识别并可跟踪。 SMIC TSOP 54II marking 工艺流程（后道Marking） Marking的方法: 油墨印字（ink marking):工艺过程有点象敲橡皮图章，因为一般确实是用橡胶来刻制打码所用的标识。油墨通常是高分子化合物，常常是基于环氧或酚醛的聚合物，需要进行热固化，或使用紫外光固化。 激光印字（laser marking):激光印码是利用激光技术在模块表面刻写标识。 Ink mark Laser mark Laser mark on surface 工艺流程（后道Marking） Ink marking的特性: 对模块表面要求比较高，若模块表面有沾污现象，油墨就不易印上去。 油墨比较容易被擦去。 加工后需要用加热或紫外光的方式进行固化。 Compound Internal Crosslinking Adsorption Diffusion Reactive Crossbridge 工艺流程（后道Marking） Laser marking的特性: 对模块表面的要求相对较低。 不易被擦去 。 不需要后固化工序。 激光印码的缺点是它的字迹较淡 。 工