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本发明提供的半导体结构的制造方法及晶圆承载装置中，半导体结构的制造方法通过在晶圆完成半导体工艺之后，在传回搬送腔之前，晶圆静电卡盘将执行完半导体工艺的晶圆以静电吸附方式固定在所述承载台的上表面，且晶圆静电卡盘上有残留电荷；在执行抽真空步骤同时晶圆升降机带动晶圆升起以使晶圆脱离所述承载台上表面以及使晶圆静电卡盘上的残留电荷与晶圆隔离，防止晶圆静电卡盘内的残留电荷转移到晶圆上。在完成半导体工艺后，抽真空步骤中增加一步晶圆升降机带动晶圆升起使晶圆与承载台上表面脱离，能够改善静电卡盘或阴极射线上有残留电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116845021 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310789467.8
(22)申请日 2023.06.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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