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含有缺陷的手性碳纳米管的电子结构和输运性质的中期报告 手性碳纳米管是一种具有优异电子输运性质的一维材料。然而，实验中合成的碳纳米管往往同时包含具有不同手性的多种管壳，或者单根碳纳米管内出现不同位置的手性变化。这些缺陷结构会对碳纳米管的电子结构和输运性质产生重要影响，因此对其进行深入研究具有重要意义。 通过密度泛函理论（DFT）计算，我们发现，具有缺陷的手性碳纳米管在能带结构上呈现出宽化的能级垂直于管轴方向的态密度分布，这与传统手性碳纳米管的能带结构有所不同。同时，缺陷还会在价带和导带中引入额外的局域能级，对电子输运性质产生影响。 我们对含有缺陷的手性碳纳米管进行了输运模拟，发现缺陷结构会明显降低碳纳米管的电导率，并且导致电流的局部分布出现非对称性。此外，缺陷结构对电子在碳纳米管内的传输方式也有影响，可能会产生非线性的输运行为。 我们的中期报告表明，缺陷对手性碳纳米管的电子结构和输运性质产生重要影响，这些影响需要在实验中进一步验证和探究。我们将在接下来的研究中继续深入探索含有缺陷的手性碳纳米管的性质和应用。