第5章非平衡载流子习题讲解.docx

第 5 章 非平衡载流子 一个 n 型半导体样品的额外空穴密度为 1013cm-3，已知空穴寿命为 100?s，计算空穴的复合率。 用强光照射 n 型样品，假定光被均匀吸收，产生额外载流子，产生率为 gp， 空穴寿命为?，请 ①写出光照开始阶段额外载流子密度随时间变化所满足的方程； ②求出光照下达到稳定状态时的额外载流子密度。 有一块 n 型硅样品，额外载流子寿命是 1?s，无光照时的电阻率是 10??cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀吸收，电子-空穴对的产生率是 1022/cm3?s， 试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多大比例？ 一块半导体样品的额外载流子寿命? =10?s，今用光照在其中产生非平衡载流子，问光照突然停止后的 20?s 时刻其额外载流子密度衰减到原来的百分之几？ 光照在掺杂浓度为 1016cm-3 的 n 型硅中产生的额外载流子密度为 ?n=?p= 1016cm-3。计算无光照和有光照时的电导率。 画出 p 型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的费米能级和光照时的准费米能级。 D光照在施主浓度 N D =1015cm-3 的 n 型硅中产生额外载流子?n=?p=1014cm-3。试 计算这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级作比较。 在一块 p 型半导体中，有一种复合－产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带