非极性ZnO和ZnMgO薄膜的MOCVD法制备及性能研究的中期报告.docxVIP

非极性ZnO和ZnMgO薄膜的MOCVD法制备及性能研究的中期报告 本研究旨在通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备非极性氧化锌（ZnO）和锌镁氧化物（ZnMgO）薄膜，并探究其物理性能。以下是中期报告。 第一部分：样品制备 采用MOCVD法在氧化物陶瓷衬底上生长非极性ZnO和ZnMgO薄膜。使用的前体材料为二甲基锌和三甲基铝等金属有机化合物，载气为氮气和二氧化碳，衬底温度为650℃，反应压力为200Torr。薄膜制备过程中，控制了生长时间、前体流量和温度等参数。 第二部分：样品表征 通过X射线衍射仪（XRD）对样品进行了结构分析。结果显示，非极性ZnO和ZnMgO薄膜的（002）晶面峰位几乎没有偏移，表明生长的样品为非极性结构。同时，XRD分析还证实了Zn和Mg原子均匀地分布在薄膜中。 通过扫描电子显微镜（SEM）观察样品表面形貌。结果显示，非极性ZnO和ZnMgO薄膜均具有光滑、致密的表面形貌。 第三部分：样品性能测试 通过紫外-可见吸收光谱仪（UV-vis）对样品进行光学性能测试。结果显示，ZnMgO薄膜的带隙随Mg含量的增加而减小。当Mg含量为20％时，ZnMgO带隙最小，为3.68 eV。与之相比，ZnO薄膜的带隙为3.25 eV。 通过霍尔效应测试系统对样品进行电学性能测试。结果显示，非极性ZnO薄膜的载流子浓度为2.55 × 1018 cm-3，迁移率为50.7 cm2/ V · s。而ZnMgO薄膜的载流子浓度为4.1 × 1017 cm-3，迁移率为15.2 cm2/V · s。与之相比，非极性ZnO薄膜的载流子浓度和迁移率更高。 第四部分：结论 通过MOCVD法制备了非极性ZnO和ZnMgO薄膜，并对其进行了结构、形貌、光电性能等方面的表征。结果表明，通过调节Mg含量和生长条件可以有效控制ZnMgO薄膜的光电性能。这项工作为进一步研究非极性氧化物薄膜在光电器件方面的应用提供了有益的参考。