成都理工大学电法勘探及地电学实习报告.docVIP

成都理工大学电法勘探及地电学实习报告.doc

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《电法勘探及地电学》 基础理论实验报告 学号: 姓名: 实习项目一 中梯法的电阻率正演模拟 一、实习目的: 掌握中梯法球体正演场特征 二、要求: 设计球体的空间位置、物性参数和计算空间 根据中梯法球体的正演公式及设计空间编写程序; 程序如下: #includestdio.h #includemath.h void main() { FILE *fp; fp=fopen(中间梯度电位.txt,w); float L,h,I,p,a,u1,u2,r0; float x[101][101]={0},y[101][101]={0},z[101][101]={0},z1[101][101]={0}; int i,j; printf(请输入中间梯度法参数,r0,u2:); scanf(%f %f,r0,u2); h=2*r0; for(i=0;i101;i++) for(j=0;j101;j++) { x[i][j]=-15.0+j*0.3; y[i][j]=-15.0+i*0.3; z1[i][j]=1+2*(u2-1)/(2*u2+1)*r0*r0*r0*(h*h+y[i][j]*y[i][j]-2*x[i][j]*x[i][j])/pow((h*h+y[i][j]*y[i][j]+x[i][j]*x[i][j]),2.5); fprintf(fp,%f %f %f\n,x[i][j],y[i][j],z1[i][j]); } fclose(fp); } 球的空间位置(0,0,10),球体半径r0=3, 情况一:u2=ps/p1=10 得下面电位图: 实习项目二 二层电测深电阻率正演模拟 一、实习目的: 掌握电测深电阻率正演方法及二层电测深曲线特征 二、要求: 根据二层电测深正演公式及设计参数编写程序; 设计参数表: 第一层电阻率 50 60 60 100 250 40 30 20 50 5 第二层电阻率 40 30 20 50 5 50 60 60 100 250 第一层厚度 2 4 6 8 10 2 4 6 8 10 r:{1.5,2,3,4,5,6,9,12,15,20,30,45,60,90} 编写程序如下: #includestdio.h #includemath.h main() { FILE *fp; fp=fopen(测深数据.txt,w); float r[14]={1.5,2,3,4,5,6,9,12,15,20,30,45,60,90}; float p1[10]={50,60,60,100,250,40,30,20,50,5}; float p2[10]={40,30,20,50,5,50,60,60,100,250}; float h[10]={2,4,6,8,10,2,4,6,8,10}; float ps[14]={0}; int i,j,a,n=30; float s,sun=0,k; for(i=0;i10;i++) { k=(p2[i]-p1[i])/(p2[i]+p1[i]); for(a=0;a14;a++) { for(j=1;j=30;j++) { s=pow(k,j)*r[a]/pow((r[a]*r[a]+2*j*h[i]*2*j*h[i]),1.5); sun=sun+s; } ps[a]=p1[i]*(1+2*r[a]*r[a]*sun); sun=0; printf(%f %f\n,log10(r[a]/h[i]),log10(ps[a]/p1[i])); fprintf(fp,%f %f\n,log10(r[a]/h[i]),log10(ps[a]/p1[i])); } printf(\n); fprintf(fp,\n); } fclose(fp); } 最终在EXCEL成图: 横坐标为log10(r/h),纵坐标为log10(ps/p1) (r=AB/2,h为深度,ps为视电阻率,p1为第一层点) 实习项目3 电偶极子电位正演 一、实习目的: 掌握电偶极子正演场特征 二、要求: 设计电偶极子的空间位置、物性参数和计算空间 根据电偶极子正演公式及设计空间编写程序; 编写程序如下: #includestdio.h #includemath.h void main() { FILE *fp; fp=fopen(偶极子电位.txt,w); float L,h,I,p,a; float x[11][11]={0},y[11][11]={0},z[11][11]={0}

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