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1000kv交流特高压变压器关键技术研究.docxVIP

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1000kv交流特高压变压器关键技术研究 1 “晋东南-南-门”特高压变压器在晋东南变电站运行情况 我们公司负责开发晋东南1000kvv污水处理厂的4台特殊高压装置。2008年7月16日,首台特高压变压器通过工厂试验,如图1所示。 2009年1月6日,“晋东南-南阳-荆门1 000k V特高压交流试验示范工程”正式投入商业运行。我公司研制完成的1 000k V交流特高压变压器在晋东南变电站至今运行稳定,指标正常,如图2所示。 本文中笔者主要介绍了1 000k V交流特高压变压器核心技术研究成果,包括变压器结构型式、主纵绝缘结构、温升控制及防止局部过热和特大型变压器运输等关键技术问题的研究等。 2 参数和结构 2.1 选择适用的压力和频率 产品型号:ODFPS-1000000/1000 额定容量:1 000MVA/1 000MVA/334MVA 调压方式:中性点无励磁调压 额定频率:50Hz 联结组标号:Ia0i0(三相组YNa0d11) 冷却方式:OFAF(主体变)/ONAN(调压补偿变) 短路阻抗(额定分接):高-中:18%;高-低:62%;中-低:40% 绝缘水平:见表1 2.2 与主变压器的连接 1 000k V变压器由主变压器和调压变压器组成,调压变压器与主变压器通过管母线进行连接,大幅度简化了主变压器的结构,绝缘可靠性更高。主变压器采用单相五柱式铁心结构,调压变压器内部设置了低压电压补偿变压器,以控制第三绕组电压波动在允许范围之内。 2.3 连接线原理 1 000k V变压器接线原理图如图3所示。 2.4 变压器串联排列 主变压器和调压变压器(包括低压电压补偿器)的绕组布置方式如图4所示。 主变压器的铁心为单相五柱式,三个主柱的高压绕组、中压绕组和低压绕组分别并联引出,每柱上的绕组排列顺序为:铁心柱-低压绕组-中压(公共)绕组-高压(串联)绕组。 调压变压器由共用一个油箱的调压器和低压电压补偿器构成。调压变压器的励磁绕组与主变(自耦变压器)的低压绕组并联。低压电压补偿器的励磁绕组与调压绕组并联,补偿绕组与主变(自耦变压器)的低压绕组串联。 2.5 外部结构 变压器外形图如图5和图6所示。 3 关于技术的研究 3.1 变压器缘构的控制 1 000k V变压器的绝缘设计是变压器设计的关键技术之一,由于自耦变压器的结构特点,加之采用了三柱并联结构,其绝缘结构十分复杂,因此对设计和制造的技术要求比较高。为保证1 000k V变压器绝缘的可靠性,笔者在设计阶段对绝缘结构进行了反复推敲和结构优化,利用电场计算分析程序详细计算了各种试验工况下绝缘结构各油隙及电极表面场强,按无起始局部放电场强进行严格控制,保证了1 000k V变压器绝缘的可靠性。绝缘结构及电场计算如图7和图8所示。 3.2 纵绝缘设计技术 3.3 变压器核心技术 1 000k V引线的绝缘结构比较复杂,确保其绝缘可靠性是1 000k V变压器研究的核心技术之一。为保证1 000k V引线的绝缘可靠性,在设计引线绝缘结构时,笔者应用了电场分析软件,重点计算分析了高压升高座箱壁开孔、套管均压球和绕组连线处油隙电场强度,以保证各部位电场强度小于起始局部放电场强。 3.4 变压器结构参数设计及结果分析 防止金属构件局部过热是特大容量1 000k V变压器的关键技术难题。晋东南1 000k V变压器单台容量达到了1 000MVA,世界上还没有同等容量变压器长期运行的经验,因此解决特大容量带来的漏磁控制及局部过热问题,成为特高压变压器研制过程中的关键技术。 在1 000k V变压器研制过程中,根据技术要求及运输条件,制造厂先后提出了多种结构型式的技术方案,通过综合技术和成本分析,最终确定采用单相五柱式铁心结构,使得变压器单柱容量为334MVA,国内外及我公司已有多台同等单柱容量的变压器运行经验,该方案的选用,有效地控制了漏磁密度和漏磁总量,为进一步优化磁场分布和屏蔽结构奠定了基础。 变压器设计过程中,笔者应用了三维涡流场计算技术,在计算变压器整体磁场分布的基础上,重点分析了铁心结构件及其屏蔽、油箱结构件及其屏蔽中的漏磁分布及涡流损耗分布。 1 000k V变压器三维涡流场计算结果如图10和图11所示。 计算结果表明,由于变压器采用了复合磁屏蔽结构并在漏磁集中区域设置了特殊的屏蔽结构,因此优化的漏磁屏蔽结构使变压器的漏磁通分布合理,损耗密度低,可以防止局部过热的发生。 1 000k V变压器的温升试验和满负载运行结果验证了防止局部过热措施的有效性。 3.5 自然油循环 1 000k V变压器主体采用了OFAF冷却方式,变压器油不直接打入器身中,绕组冷却通过自然油循环完成。由于绕组表面变压器油的流速很低,因此避免了油流放电问题的产生。采用OFAF冷却方式,关键是控制热点温升,以

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