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本公开提供了一种外围切割道曝光区域面积确定方法，涉及半导体技术领域。方法包括：调取脚本数据库，脚本数据库包括切割道标记的摆放规则和切割道标记的数量；根据切割道标记的摆放规则和切割道标记的数量，将至少一个切割道标记摆放到外围切割道，外围切割道包括位于外侧的呈环状的第一外围切割道；获取与第一外围切割道相对应的填充层，并通过填充层填充第一外围切割道除切割道标记所在区域外的其他区域，得到第一掩膜层，第一掩膜层为第一外围切割道用填充层填充的区域；利用第一掩膜层进行曝光操作，得到外围切割道的曝光区域。本公开
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116859681 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310937511.5
(22)申请日 2023.07.26
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
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