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本发明公开了一种具有高光电催化分解水能力的异质结构及其制备方法，所述异质结构由下至上依次设置有衬底、缓冲层、GaN纳米柱、掩膜层、InxGa1‑xN包覆层，其中GaN纳米柱和InxGa1‑xN包覆层所属的六方晶系的c轴方向平行于柱状结构侧壁的法线方向。本发明提供的异质结构，能够通过调节InxGa1‑xN包覆层的In和Ga组分实现全可见光谱波长范围的光吸收并产生光生载流子，同时利用InxGa1‑xN包覆层中的压电极化电场促进光生电子和光生空穴的分离，使得电子、空穴分别定向迁移至InxGa1‑xN包
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116855992 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310802655.X B82Y 40/00 (2011.01)
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