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本发明公开了一种在提拉法生长晶体过程中修正晶体界面电动势基线的方法，包括如下：在晶体生长的过程中，在当前一段时间内通过对籽晶杆造成可调的周期性温度波动，记录当前一段时间内晶体生长过程中籽晶的周期性波动的温度T和周期性波动的界面电动势U；通过设定阈值条件，过滤温度T、界面电动势U中干扰数据；根据保留下的温度T、界面电动势U计算当前一段时间内的固相塞贝克系数；获得下一段时间内的固相塞贝克系数，以及获取下一段时间内温度中值点，计算得到下一段时间内温度中值点对应的界面电动势；将上一段时间内温度中值点对应
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116856048 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310814677.8
(22)申请日 2023.07.04
(71)申请人 中山大学
地址 510275
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