电路与模拟电子技术基础习题解答第6章习题解答.docxVIP

M i9 习 题 6 确定图中晶体管其它两个电流的值 I C I =125μA B  β=200 I I =3mA C C I I B B β=100  β=120 I E (a)  I =5mA E (b)  I E (c) 图 习题图 (a) I =βI =200×=25(mA) I =I +I =(mA) C B E B C (b) I =I /(1+β)=5/(1+100)=(μA) I =I －I =(mA) B E C E B (c) I =I /β=3/120=25(μA) I =I +I =(mA) B C E B C 测得放大电路中的晶体三极管3 个电极①、②、③的电流大小和方向如图所示，试判断晶体管的类型（NPN 或PNP），说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c，求出电流放大系数 。 图 习题图 (a) ①-c ②-b ③-e PNP β==40 (b) ①-b ②-e ③-c NPN β==150 有两只工作于放大状态的晶体管，它们两个管脚的电流大小和实际流向如图所示。求 另一管脚的电流大小，判断管子是NPN 型还是PNP 型，三个管脚各是什么电极；并求它们的 值。 4mA① 4mA ① ② 0.1mA ③ 5.1mA ① ② 0.1mA ③ (a) (b) 图 习题图 (a) ①-c ②-e ③-b NPN I =I +I =4+=(mA) β=4/=40 (b) ①-e ②-c ③-b NPN I =I －I =－=5(mA) β=5/=50 C E B 试判断图所示电路中开关S 放在 1、2、3 哪个位置时的 I B 最大；放在哪个位置时的 I 最小，为什么 B IBVT I B VT ① ③ R b ② +V BB CC 图 习题图 在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B 就等于此导通电流。 在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时 I B 等于两个二级管导通电流之和，所以 此时的电流最大。 在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以 I B 电流下降，此时电流最小。 测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图所示，判断晶体管三极管的类型（NPN 或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。 图 习题图 ①-e ②-c ③-b 硅 NPN ①-b ②-c ③-e 锗 PNP ①-b ②-e ③-c 锗 PNP 在工作正常的放大电路中，测得四个晶体管相对于电路公共端的电压如图所示，是判断各晶体管的类型及各管脚对应的电极名称。 ① 4V ② 4.7V ③ 9V ① -2V ② 5.3V ③ 5V ① -6V ② -0.7V ③ 0V ① -1.8V ② 6V ③ -2V (a) (b) 图 习题图 (c) (d) (a) ①-e ②-b ③-c 硅 NPN (b) ①-c ②-e ③-b 锗 PNP (c) ①-c ②-b ③-e 硅 PNP (d) ①-b ②-c ③-e 锗 NPN 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图所示，判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）。 0V 硅管 锗管 1.1V －5V －3V  (a)  －2.7V －0.1V 1.3V  (b)  1V －9V  硅管－ 硅管 －1.3V  －0.6V 6V 锗管 硅管 －0.3V －5V 0V  －6V 0V 硅管3V 硅管 3V 图 习题图 (a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA、P CM = 200mW、U (BR)CEO = 15V，若它的工作电流I = C 10mA，那么它的工作电压U CE 不能超过多少若它的工作电压U CE = 12V，那么它的工作电流I C 不能超过多少 ? P ? ? 200 ? U ? min?U , CM ? ? min?15, ? ? 15(V) ?CE ? ? (BR)CEO I ? 10 ? C ? P ? ? 200 ? I ? min?I , CM ? ? min?20, ? ? 16.67(mA) ??C CM U ? ? CE ? 12 ? 图所示电路对正弦信号是否有放大作用如果没有放大作用，则说明理由并将错误加以改正（设电容的容抗可以忽略）。 图 习题电路图 无放大作用。电容C 使得集电结反偏不成立。应将电容C 改为阻值合适的电阻。 无放大作用。V BB 使得交流输入信号无法加到三极管上。应在此支路串联一阻值合适 的电阻。 无放大作用。PNP 三极管要求 V V V ，同时电容 C 使得发射结正偏不成立。应将 C B E V 的+12V 改为－12V，