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一种空腔封装结构及其形成方法，所述空腔封装结构，包括：金属基底，金属基底包括中间区域和环绕中间区域的边缘区域，所述中间区域包括贴装区域，所述金属基底上表面的边缘区域上形成有围堤结构，所述围堤结构环绕所述中间区域，且所述围堤结构中具有向两侧延伸的引脚；位于所述中间区域的金属基底中的环绕所述贴装区域的环形凹槽；位于所述环形凹槽中的第一缓冲层，所述第一缓冲层的热膨胀系数小于所述金属基底的热膨胀系数；贴装在所述贴装区域的上表面的半导体芯片，所述半导体芯片通过金属引线与引脚电连接；贴装在所述围堤结构上的上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864453 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310797073.7
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 江苏长电科技股份有限公司
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